SQSA70CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.93 грн |
| 6000+ | 26.54 грн |
| 9000+ | 25.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQSA70CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQSA70CENW-T1_GE3 за ціною від 27.78 грн до 70.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQSA70CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
на замовлення 31563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|