SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.14 грн |
| 6000+ | 33.37 грн |
| 9000+ | 32.15 грн |
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Технічний опис SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQSA80ENW-T1_GE3 за ціною від 38.03 грн до 135.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 12322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQSA80ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQSA80ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQSA80ENW-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.13 грн |
| 10+ | 83.09 грн |
| 100+ | 55.93 грн |
| 500+ | 41.55 грн |
| 1000+ | 38.03 грн |
| SQSA80ENW-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQSA80ENW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQSA80ENW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)