Продукція > VISHAY SILICONIX > SQSA82CENW-T1_GE3
SQSA82CENW-T1_GE3

SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqsa82cenw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.25 грн
6000+13.51 грн
9000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQSA82CENW-T1_GE3 за ціною від 13.28 грн до 69.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqsa82cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.59 грн
10+37.67 грн
100+24.51 грн
500+17.68 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqsa82cenw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 23566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.77 грн
10+42.62 грн
100+24.13 грн
500+18.57 грн
1000+16.76 грн
3000+14.39 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqsa82cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.