Продукція > VISHAY SILICONIX > SQSA82CENW-T1_GE3
SQSA82CENW-T1_GE3

SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqsa82cenw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.05 грн
6000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQSA82CENW-T1_GE3 за ціною від 13.14 грн до 66.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqsa82cenw.pdf Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.19 грн
500+18.50 грн
1000+15.45 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqsa82cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.60 грн
10+33.03 грн
100+26.57 грн
500+19.16 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqsa82cenw.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 37mohms SG
на замовлення 27603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.70 грн
10+42.45 грн
100+24.59 грн
500+19.16 грн
1000+17.39 грн
3000+13.87 грн
9000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqsa82cenw.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqsa82cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqsa82cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.