Продукція > VISHAY SILICONIX > SQSA84CENW-T1_GE3
SQSA84CENW-T1_GE3

SQSA84CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqsa84cenw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQSA84CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQSA84CENW-T1_GE3 за ціною від 14.82 грн до 48.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQSA84CENW-T1_GE3 SQSA84CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqsa84cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
10+38.00 грн
100+26.28 грн
500+20.61 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3 SQSA84CENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqsa84cenw.pdf MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V
на замовлення 22786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.55 грн
10+41.78 грн
100+24.81 грн
500+20.70 грн
1000+18.05 грн
3000+15.34 грн
6000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqsa84cenw.pdf SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.