Продукція > VISHAY SILICONIX > SQW33N65EF-GE3
SQW33N65EF-GE3

SQW33N65EF-GE3 Vishay Siliconix

sqw33n65ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3972 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+427.01 грн
10+276.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQW33N65EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQW33N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.109 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm.

Інші пропозиції SQW33N65EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQW33N65EF-GE3 SQW33N65EF-GE3 VISHAY sqw33n65ef.pdf Description: VISHAY - SQW33N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.109 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQW33N65EF-GE3 SQW33N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sqw33n65ef.pdf MOSFETs TO247 N CHAN 700V 34A
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQW33N65EF-GE3 sqw33n65ef.pdf
SQW33N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQW33N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.109 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQW33N65EF-GE3 sqw33n65ef.pdf
SQW33N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 34A
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.