SQW33N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3972 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 331.25 грн |
| 10+ | 215.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW33N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3972 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQW33N65EF-GE3 за ціною від 190.25 грн до 359.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQW33N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 34A |
на замовлення 4745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQW33N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQW33N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.095 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|