SQW44N65EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 619.19 грн |
| 5+ | 521.34 грн |
| 10+ | 423.48 грн |
| 50+ | 361.93 грн |
| 100+ | 246.69 грн |
| 250+ | 241.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW44N65EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQW44N65EF-GE3 за ціною від 269.95 грн до 659.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQW44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
SQW44N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SQW44N65EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 628.00 грн |
| 10+ | 412.93 грн |
| SQW44N65EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 659.48 грн |
| 10+ | 444.18 грн |
| 100+ | 269.95 грн |




