
SQW44N65EF-GE3 Vishay
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 548.95 грн |
10+ | 455.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW44N65EF-GE3 Vishay
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQW44N65EF-GE3 за ціною від 259.61 грн до 631.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |