SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 502.45 грн |
10+ | 414.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQW44N65EF-GE3 за ціною від 270.62 грн до 565.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.063 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
товар відсутній |