SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQW44N65EF-GE3 за ціною від 239.15 грн до 670.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQW44N65EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|