SQW61N65EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 678.59 грн |
| 5+ | 623.04 грн |
| 10+ | 567.49 грн |
| 50+ | 475.37 грн |
| 100+ | 430.01 грн |
| 250+ | 421.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW61N65EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQW61N65EF-GE3 за ціною від 475.40 грн до 1023.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQW61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 650V 62A N-CH MOSFET |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SQW61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SQW61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 62A Automotive Tube |
товару немає в наявності |