SQW61N65EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 62
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 690.02 грн |
| 5+ | 662.45 грн |
| 10+ | 634.13 грн |
| 50+ | 543.17 грн |
| 100+ | 459.23 грн |
| 250+ | 407.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQW61N65EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 62, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-247AD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQW61N65EF-GE3 за ціною від 455.02 грн до 853.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQW61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQW61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|