SS8050DBU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS8050DBU Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції SS8050DBU за ціною від 7.11 грн до 40.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SS8050DBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 35420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SS8050DBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 39917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SS8050DBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SS8050DBU | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SS8050DBU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN/40V/1.5A |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SS8050DBU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 35420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3007+ | 11.79 грн |
| 10000+ | 10.52 грн |
| SS8050DBU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 39917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3007+ | 11.79 грн |
| 10000+ | 10.52 грн |
| SS8050DBU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 753+ | 18.83 грн |
| 2500+ | 11.94 грн |
| SS8050DBU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.61 грн |
| 13+ | 23.41 грн |
| 100+ | 14.88 грн |
| 500+ | 10.52 грн |





