SS8050DBU ON Semiconductor
на замовлення 35420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3013+ | 10.35 грн |
| 10000+ | 9.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS8050DBU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції SS8050DBU за ціною від 8.67 грн до 39.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SS8050DBU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 52417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SS8050DBU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 401127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SS8050DBU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN/40V/1.5A |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SS8050DBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SS8050DBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SS8050DBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |