SS9012GBU ON Semiconductor
на замовлення 30690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13275+ | 2.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS9012GBU ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції SS9012GBU за ціною від 2.22 грн до 20.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SS9012GBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 93750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 73895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 64 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 64 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 314811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SS9012GBU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS9012GBU - SS9012GBU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 300181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| SS9012-GBU |
на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
SS9012GBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
SS9012GBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |




