SS9014ABU ONSEMI

FAIRS20359-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS9014ABU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SS9014ABU ONSEMI

Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 270MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 450 mW.

Інші пропозиції SS9014ABU

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SS9014ABU	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 450mW 3-Pin TO-92 Bag	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SS9014ABU	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 270MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 450 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SS9014ABU	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - BJT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.