SSM10N961L,ELF Toshiba
на замовлення 19715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62 грн |
| 10+ | 54.39 грн |
| 100+ | 32.22 грн |
| 500+ | 26.9 грн |
| 1000+ | 22.92 грн |
| 2500+ | 20.72 грн |
| 5000+ | 19.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM10N961L,ELF Toshiba
Description: 30V N-CH COMMON DRAIN FET RSS:9., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-XFLGA, CSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TCSPAG-341501.
Інші пропозиції SSM10N961L,ELF за ціною від 18.5 грн до 57.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM10N961L,ELF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 30V N-CH COMMON DRAIN FET RSS:9.Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-XFLGA, CSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TCSPAG-341501 |
на замовлення 9490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SSM10N961L,ELF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 30V N-CH COMMON DRAIN FET RSS:9. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-XFLGA, CSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TCSPAG-341501 |
товар відсутній |