SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.29 грн |
| 10+ | 62.46 грн |
| 50+ | 46.52 грн |
| 100+ | 38.82 грн |
| 500+ | 30.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-XFLGA, CSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TCSPAG-341501.
Інші пропозиції SSM10N961L,ELF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM10N961L,ELF | Toshiba |
MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG |
на замовлення 19353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM10N961L,ELF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
на замовлення 19353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)