Продукція > TOSHIBA > SSM10N961L,ELF
SSM10N961L,ELF

SSM10N961L,ELF Toshiba

SSM10N961L_datasheet_en_20230626-3314042.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
на замовлення 19368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.75 грн
10+60.73 грн
100+35.74 грн
500+28.24 грн
1000+23.72 грн
5000+21.51 грн
10000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM10N961L,ELF Toshiba

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-XFLGA, CSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TCSPAG-341501.

Інші пропозиції SSM10N961L,ELF за ціною від 21.46 грн до 99.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM10N961L,ELF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.34 грн
10+60.35 грн
100+39.84 грн
500+29.13 грн
1000+26.47 грн
2000+24.24 грн
5000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.