Продукція > TOSHIBA > SSM10N961L,ELF
SSM10N961L,ELF

SSM10N961L,ELF Toshiba

8D8E3D6782C8281D946891F1444A24511FE7DB045A82C771F5B82412EC3A0653.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
на замовлення 19353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.85 грн
10+54.44 грн
100+31.31 грн
500+24.40 грн
1000+20.36 грн
5000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM10N961L,ELF Toshiba

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-XFLGA, CSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TCSPAG-341501.

Інші пропозиції SSM10N961L,ELF за ціною від 20.33 грн до 94.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM10N961L,ELF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.13 грн
10+57.18 грн
100+37.75 грн
500+27.60 грн
1000+25.08 грн
2000+22.96 грн
5000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.