Продукція > TOSHIBA > SSM3J112TU,LF(T
SSM3J112TU,LF(T

SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.29 грн
50+16.95 грн
100+11.77 грн
500+8.91 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SSM3J112TU,LF(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T Виробник : Toshiba 643docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j112tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.