Продукція > TOSHIBA > SSM3J112TU,LF(T
SSM3J112TU,LF(T

SSM3J112TU,LF(T Toshiba

643docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j112tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1793+7.84 грн
1924+7.31 грн
1946+7.22 грн
2000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 1793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J112TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.

Інші пропозиції SSM3J112TU,LF(T за ціною від 6.21 грн до 6.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(T
SSM3J112TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(T
SSM3J112TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.