на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1793+ | 7.12 грн |
| 1924+ | 6.63 грн |
| 1946+ | 6.56 грн |
| 2000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J112TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J112TU,LF(T за ціною від 6.27 грн до 38.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J112TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3J112TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SSM3J112TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SSM3J112TU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R |
товару немає в наявності |