Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J112TU,LF
SSM3J112TU,LF

SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.03 грн
6000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3J112TU,LF за ціною від 7.53 грн до 32.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
16+18.98 грн
100+12.03 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba 81F7FB58AB485B1D0CFFE5E88AE503157A59093E7867611B746651FF42CB7B58.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
16+18.98 грн
100+12.03 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF 81F7FB58AB485B1D0CFFE5E88AE503157A59093E7867611B746651FF42CB7B58.pdf
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.