| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.28 грн |
| 16+ | 21.11 грн |
| 100+ | 11.89 грн |
| 500+ | 8.86 грн |
| 1000+ | 7.88 грн |
| 3000+ | 6.47 грн |
| 6000+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J117TU,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J117TU,LF за ціною від 8.59 грн до 36.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J117TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|