SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.41 грн |
| 15+ | 20.98 грн |
| 100+ | 13.30 грн |
| 500+ | 9.37 грн |
| 1000+ | 8.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J117TU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J117TU,LF | Toshiba |
MOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin |
на замовлення 9845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J117TU,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
MOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)