SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.01 грн |
6000+ | 10.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J132TU,LF за ціною від 8.92 грн до 32.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM3J132TU,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J132TU,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J132TU,LF | Виробник : Toshiba | MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V |
на замовлення 14340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J132TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V |
на замовлення 9116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J132TU,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R |
товар відсутній |