SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.61 грн |
| 6000+ | 7.89 грн |
| 9000+ | 6.64 грн |
| 15000+ | 6.15 грн |
| 21000+ | 5.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J133TU,LF за ціною від 7.39 грн до 35.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J133TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J133TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J133TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 57721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J133TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel |
на замовлення 9389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J133TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R |
товару немає в наявності |

