Продукція > TOSHIBA > SSM3J133TU,LF
SSM3J133TU,LF

SSM3J133TU,LF Toshiba

509docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j133tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
502+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 502
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J133TU,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J133TU,LF за ціною від 6.60 грн до 33.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Виробник : Toshiba 509docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j133tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.72 грн
27+22.54 грн
100+14.86 грн
250+13.33 грн
500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6640&prodName=SSM3J133TU Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.40 грн
15+21.54 грн
100+14.17 грн
500+10.15 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Виробник : Toshiba SSM3J133TU_datasheet_en_20140301-1022851.pdf MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel
на замовлення 19031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.10 грн
14+25.37 грн
100+12.26 грн
1000+8.42 грн
3000+7.40 грн
9000+6.68 грн
24000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Виробник : Toshiba 509docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j133tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6640&prodName=SSM3J133TU Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.