| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 872+ | 14.81 грн |
| 878+ | 14.70 грн |
| 920+ | 14.04 грн |
| 1000+ | 13.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J134TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J134TU,LF(T за ціною від 7.74 грн до 42.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J134TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|