SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.02 грн |
| 14+ | 22.61 грн |
| 100+ | 13.54 грн |
| 500+ | 11.77 грн |
| 1000+ | 8.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: UFM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3J134TU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J134TU,LF | Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J134TU,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)