SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.16 грн |
| 14+ | 21.21 грн |
| 100+ | 12.71 грн |
| 500+ | 11.04 грн |
| 1000+ | 7.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J134TU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J134TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R |
товар відсутній |
|
|
|
SSM3J134TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R |
товар відсутній |
|
| SSM3J134TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R |
товар відсутній |
||
|
|
SSM3J134TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
SSM3J134TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V |
товар відсутній |