Інші пропозиції SSM3J144TU,LF за ціною від 7.45 грн до 41.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J144TU,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J144TU,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J144TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFMInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +6V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: UFM Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SSM3J144TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1117+ | 12.69 грн |
| 1904+ | 7.45 грн |
| SSM3J144TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 16.08 грн |
| 60+ | 12.69 грн |
| 102+ | 7.45 грн |
| SSM3J144TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.16 грн |
| 13+ | 24.68 грн |
| 100+ | 15.71 грн |
| 500+ | 11.11 грн |
| 1000+ | 9.94 грн |




