Продукція > TOSHIBA > SSM3J145TU,LXHF(T
SSM3J145TU,LXHF(T

SSM3J145TU,LXHF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.44 грн
500+12.47 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J145TU,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J145TU,LXHF(T за ціною від 9.07 грн до 31.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J145TU,LXHF(T SSM3J145TU,LXHF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.18 грн
35+23.69 грн
100+16.44 грн
500+12.47 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.