SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.95 грн |
| 20000+ | 2.58 грн |
| 30000+ | 2.44 грн |
| 50000+ | 2.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3J15CT,L3F за ціною від 2.25 грн до 18.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J15CT,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V |
на замовлення 60872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J15CT,L3F | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-30V, Id:-0.1A, Pd: 0.1W |
на замовлення 18745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|