SSM3J15CT,L3F Toshiba
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 19.57 грн |
| 29+ | 11.68 грн |
| 100+ | 6.33 грн |
| 1000+ | 3.83 грн |
| 2500+ | 3.38 грн |
| 10000+ | 2.50 грн |
| 20000+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J15CT,L3F Toshiba
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3J15CT,L3F за ціною від 2.56 грн до 17.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J15CT,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SSM3J15CT,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V |
на замовлення 29295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|