Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J15CT,L3F
SSM3J15CT,L3F

SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5961&prodName=SSM3J15CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.87 грн
20000+2.51 грн
30000+2.38 грн
50000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3J15CT,L3F за ціною від 2.83 грн до 16.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J15CT,L3F SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5961&prodName=SSM3J15CT Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 60872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.93 грн
30+10.01 грн
100+6.21 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
2000+3.34 грн
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT,L3F SSM3J15CT,L3F Toshiba SSM3J15CT_datasheet_en_20140301-2307118.pdf MOSFETs Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-30V, Id:-0.1A, Pd: 0.1W
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT,L3F docget.jsp?did=5961&prodName=SSM3J15CT
SSM3J15CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 60872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.93 грн
30+10.01 грн
100+6.21 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
2000+3.34 грн
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT,L3F SSM3J15CT_datasheet_en_20140301-2307118.pdf
SSM3J15CT,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-30V, Id:-0.1A, Pd: 0.1W
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.