SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.64 грн |
| 6000+ | 2.27 грн |
| 9000+ | 1.80 грн |
| 15000+ | 1.68 грн |
| 21000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI, Supplier Device Package: S-Mini, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V.
Інші пропозиції SSM3J15F,LF за ціною від 2.32 грн до 17.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J15F,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Supplier Device Package: S-Mini |
на замовлення 22546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J15F,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Sm-signal/Hi-Speed S-Mini (SOT-346) |
на замовлення 8312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|