SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.08 грн
6000+2.65 грн
9000+2.49 грн
15000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: S-Mini, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3J15F,LF за ціною від 3.37 грн до 15.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 15073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba 7D96BBF26925754508C9DF208FBD1767B21A843B123DC4D8614055819DFD62BB.pdf MOSFETs Sm-signal/Hi-Speed S-Mini (SOT-346)
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 15073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF 7D96BBF26925754508C9DF208FBD1767B21A843B123DC4D8614055819DFD62BB.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Sm-signal/Hi-Speed S-Mini (SOT-346)
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.