SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.10 грн |
| 6000+ | 2.67 грн |
| 9000+ | 2.51 грн |
| 15000+ | 2.18 грн |
| 21000+ | 2.08 грн |
| 30000+ | 1.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3J15FU,LF за ціною від 2.72 грн до 20.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J15FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: USM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V |
на замовлення 67825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J15FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching |
на замовлення 73235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J15FU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
товару немає в наявності |