Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J15FU,LF
SSM3J15FU,LF

SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.18 грн
6000+2.74 грн
9000+2.58 грн
15000+2.24 грн
21000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Supplier Device Package: USM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3J15FU,LF за ціною від 3.48 грн до 15.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J15FU,LF SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
32+9.27 грн
100+5.76 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF SSM3J15FU,LF Toshiba 0169453355162A738188EABA357709237FE25925260131CE23E9555B46E7F9C2.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU
SSM3J15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
32+9.27 грн
100+5.76 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF 0169453355162A738188EABA357709237FE25925260131CE23E9555B46E7F9C2.pdf
SSM3J15FU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.