
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8000+ | 2.31 грн |
16000+ | 2.07 грн |
24000+ | 1.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3J15FV,L3F за ціною від 1.52 грн до 15.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3J15FV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 29854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SSM3J15FV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V |
на замовлення 34900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SSM3J15FV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 29854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SSM3J15FV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 55765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SSM3J15FV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
SSM3J15FV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |