Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J15FV,L3F
SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3J15FV,L3F за ціною від 1.53 грн до 19.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Виробник : Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2539+5.09 грн
2560+5.04 грн
4602+2.81 грн
4644+2.68 грн
6000+2.23 грн
15000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 2539
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 14326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.77 грн
45+6.80 грн
100+3.31 грн
500+2.73 грн
1000+2.28 грн
2000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Виробник : Toshiba SSM3J15FV_datasheet_en_20171011-1916536.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 55765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.13 грн
36+8.98 грн
100+3.56 грн
1000+2.30 грн
2500+2.02 грн
8000+1.60 грн
24000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Виробник : Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+19.03 грн
59+12.52 грн
135+5.31 грн
250+4.86 грн
500+4.63 грн
1000+2.58 грн
3000+2.55 грн
6000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Виробник : Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.