Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J15FV,L3F
SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3J15FV,L3F за ціною від 1.77 грн до 19.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2539+5.58 грн
2560+5.54 грн
4602+3.08 грн
4644+2.94 грн
6000+2.45 грн
15000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
34+8.97 грн
50+6.40 грн
100+5.22 грн
500+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.50 грн
59+12.83 грн
135+5.44 грн
250+4.99 грн
500+4.75 грн
1000+2.64 грн
3000+2.62 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 9E34200A3B8FA519CACF8DD1FCC6A431ED07DE0B674803B9A140B3B8F0D646BA.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 16042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2539+5.58 грн
2560+5.54 грн
4602+3.08 грн
4644+2.94 грн
6000+2.45 грн
15000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.53 грн
34+8.97 грн
50+6.40 грн
100+5.22 грн
500+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.50 грн
59+12.83 грн
135+5.44 грн
250+4.99 грн
500+4.75 грн
1000+2.64 грн
3000+2.62 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F 9E34200A3B8FA519CACF8DD1FCC6A431ED07DE0B674803B9A140B3B8F0D646BA.pdf
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 16042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.