Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J168F,LF
SSM3J168F,LF

SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J168F_datasheet_en_20220422.pdf?did=55835&prodName=SSM3J168F Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.96 грн
6000+7.11 грн
9000+6.56 грн
15000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J168F,LF за ціною від 5.68 грн до 33.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J168F,LF SSM3J168F,LF Виробник : Toshiba D4A646FD4A560C4F59A6B6E781AC6141ADE25EA0AE923D73B6CF5E4CA56E6E2A.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
на замовлення 72019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.92 грн
18+20.05 грн
100+11.45 грн
500+8.87 грн
1000+6.29 грн
3000+6.06 грн
6000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF SSM3J168F,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F_datasheet_en_20220422.pdf?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 16825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.62 грн
16+21.00 грн
100+13.83 грн
500+9.94 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF SSM3J168F,LF Виробник : Toshiba ssm3j168f_datasheet_en_20210528.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.