SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.73 грн |
| 6000+ | 6.90 грн |
| 9000+ | 6.37 грн |
| 15000+ | 5.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J168F,LF за ціною від 5.74 грн до 35.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J168F,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V |
на замовлення 16825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J168F,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V |
на замовлення 109908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J168F,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |