SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=1374&prodName=SSM3J16FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Part Status: Active, Supplier Device Package: USM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3J16FU(TE85L,F) за ціною від 5.03 грн до 28.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J16FU(TE85L,F) SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1914+7.34 грн
1916+7.33 грн
2149+6.54 грн
2236+6.06 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1914 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F) SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1374&prodName=SSM3J16FU Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.48 грн
14+22.61 грн
100+11.98 грн
500+7.40 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F) docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1914+7.34 грн
1916+7.33 грн
2149+6.54 грн
2236+6.06 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1914 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F) docget.jsp?did=1374&prodName=SSM3J16FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.48 грн
14+22.61 грн
100+11.98 грн
500+7.40 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.