Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J325F,LF
SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26 грн
16+ 17.59 грн
100+ 8.87 грн
500+ 6.79 грн
1000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Supplier Device Package: S-Mini, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J325F,LF за ціною від 3.34 грн до 27.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Виробник : Toshiba SSM3J325F_datasheet_en_20161110-1916406.pdf MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.49 грн
15+ 20.73 грн
100+ 10.21 грн
1000+ 5.14 грн
3000+ 4.47 грн
9000+ 3.61 грн
24000+ 3.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM3J325F,LF Виробник : Toshiba 6268981448271162689380928924ssm3j325f_datasheet_en_20161110.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товар відсутній