Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J325F,LF
SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Supplier Device Package: S-Mini, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J325F,LF за ціною від 3.31 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.94 грн
100+9.36 грн
500+6.51 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Виробник : Toshiba SSM3J325F_datasheet_en_20161110-1916406.pdf MOSFETs P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.09 грн
22+15.91 грн
100+5.81 грн
1000+5.15 грн
3000+3.97 грн
9000+3.46 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF Виробник : Toshiba 6268981448271162689380928924ssm3j325f_datasheet_en_20161110.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.