Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J327R,LF(B Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 1W; SOT23F; ESD, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3.9A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.24Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції SSM3J327R,LF(B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 +1 |
SSM3J327R,LF(B | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.9A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |