SSM3J327R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.0785 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0785ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0785ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.91 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 5000+ | 3.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J327R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.0785 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0785ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0785ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J327R,LF(T за ціною від 3.49 грн до 27.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J327R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J327R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J327R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.0785 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0785ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J327R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 8925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J327R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SSM3J327R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |