Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J327R,LF
SSM3J327R,LF

SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J327R_datasheet_en_20211021.pdf?did=2051&prodName=SSM3J327R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.24 грн
6000+4.55 грн
9000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J327R,LF за ціною від 3.37 грн до 27.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J327R_datasheet_en_20211021.pdf?did=2051&prodName=SSM3J327R Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 14309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.34 грн
21+14.64 грн
100+9.17 грн
500+6.38 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF Виробник : Toshiba SSM3J327R_datasheet_en_20211021-1150616.pdf MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 12297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.59 грн
21+16.50 грн
100+6.74 грн
1000+6.08 грн
3000+4.61 грн
9000+3.88 грн
24000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF Виробник : Toshiba ssm3j327r_datasheet_en_20211021.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF Виробник : Toshiba ssm3j327r_datasheet_en_20211021.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF Виробник : Toshiba ssm3j327r_datasheet_en_20211021.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.