Продукція > TOSHIBA > SSM3J328R,LF(T
SSM3J328R,LF(T

SSM3J328R,LF(T TOSHIBA

SSM3J328R.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 88.4mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.37 грн
27+15.57 грн
34+12.35 грн
50+10.54 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J328R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J328R,LF(T за ціною від 5.15 грн до 31.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T TOSHIBA 3622417.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T TOSHIBA 3622417.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T Toshiba Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 29.8mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF; SSM3J328R; SSM3J328R,LF(T TSSM3j328r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T docget.pdf
SSM3J328R,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
441+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T
SSM3J328R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T docget.pdf
SSM3J328R,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T 3622417.pdf
SSM3J328R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T docget.pdf
SSM3J328R,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T 3622417.pdf
SSM3J328R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T
Виробник: Toshiba
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 29.8mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF; SSM3J328R; SSM3J328R,LF(T TSSM3j328r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.