Технічний опис SSM3J328R,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J328R,LF за ціною від 5.99 грн до 33.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J328R,LF | Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SSM3J328R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SSM3J328R,LF | Toshiba |
SSM3J328R,LF Транзистори |
на замовлення 220 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 268490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SSM3J328R,LF | Toshiba |
MOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS |
на замовлення 38950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.21 грн |
| 6000+ | 6.53 грн |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.24 грн |
| 9000+ | 5.99 грн |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba
SSM3J328R,LF Транзистори
SSM3J328R,LF Транзистори
на замовлення 220 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 9.20 грн |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 883+ | 10.82 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1308+ | 10.82 грн |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 268490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.30 грн |
| 16+ | 19.62 грн |
| 50+ | 14.19 грн |
| 100+ | 11.65 грн |
| 500+ | 8.71 грн |
| SSM3J328R,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
MOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
на замовлення 38950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)