Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J331R,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J331R,LF за ціною від 4.11 грн до 37.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J331R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 76889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM3J331R,LF | Toshiba |
MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF |
на замовлення 6425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J331R,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.17 грн |
| 6000+ | 5.37 грн |
| 9000+ | 5.08 грн |
| 15000+ | 4.46 грн |
| 21000+ | 4.28 грн |
| 30000+ | 4.11 грн |
| SSM3J331R,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 76889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.25 грн |
| 18+ | 16.97 грн |
| 100+ | 10.67 грн |
| 500+ | 7.45 грн |
| 1000+ | 6.63 грн |
| SSM3J331R,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 37.00 грн |
| 29+ | 26.12 грн |
| 100+ | 10.08 грн |
| SSM3J331R,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF
MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3J331R,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J331R,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)