на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J331R,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J331R,LF за ціною від 3.74 грн до 31.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J331R,LF | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 17988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF |
на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |