SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.61 грн |
| 6000+ | 4.88 грн |
| 9000+ | 4.62 грн |
| 15000+ | 4.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J332R,LF за ціною від 4.40 грн до 29.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J332R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
на замовлення 18872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J332R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS |
на замовлення 166032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | Виробник : TOSHIBA |
SOT23/SOT323 |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SSM3J332R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SSM3J332R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |