Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SSM3J332R,LF(T

SSM3J332R,LF(T

Код товару: 170575
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 5.50 грн до 62.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
 SSM3J332R,LF(T TOSHIBA SSM3J332R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+12.76 грн
60+7.28 грн
100+6.52 грн
500+5.84 грн
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.39 грн
500+9.22 грн
1500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.71 грн
56+14.85 грн
100+12.39 грн
500+9.22 грн
1500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Toshiba SSM3J332R.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+62.40 грн
100+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R.pdf
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+12.76 грн
60+7.28 грн
100+6.52 грн
500+5.84 грн
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.39 грн
500+9.22 грн
1500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.71 грн
56+14.85 грн
100+12.39 грн
500+9.22 грн
1500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R.pdf
Виробник: Toshiba
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.40 грн
100+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.