Продукція > TOSHIBA > SSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(T
  • SSM3J332R,LF(T
  • SSM3J332R,LF(T
  • SSM3J332R,LF(T

SSM3J332R,LF(T TOSHIBA


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969FC473B04633D6&compId=SSM3J332R.pdf?ci_sign=c4dadc4fa73db81429eb3f7d4bedfa71fcf43021 Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3175 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.70 грн
55+7.31 грн
100+6.52 грн
165+5.66 грн
450+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J332R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 6.41 грн до 88.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J332R,LF(T
+2
SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969FC473B04633D6&compId=SSM3J332R.pdf?ci_sign=c4dadc4fa73db81429eb3f7d4bedfa71fcf43021 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.24 грн
35+9.11 грн
100+7.83 грн
165+6.79 грн
450+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.99 грн
500+18.71 грн
1500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.04 грн
50+56.72 грн
100+25.99 грн
500+18.71 грн
1500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
711+17.20 грн
1000+12.80 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 711
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
Код товару: 170575
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j332r_datasheet_en_20181015.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.