Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SSM3J332R,LF(T

SSM3J332R,LF(T

Код товару: 170575
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 5.35 грн до 12.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
 SSM3J332R,LF(T TOSHIBA SSM3J332R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+12.42 грн
60+7.08 грн
100+6.34 грн
500+5.68 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R.pdf
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(TSSM3J332R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+12.42 грн
60+7.08 грн
100+6.34 грн
500+5.68 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T 3622419.pdf
SSM3J332R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T 3622419.pdf
SSM3J332R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.