Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 5.42 грн до 117.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 +2 |
SSM3J332R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 144mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: SOT23F Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM3J332R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3J332R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Виробник : Toshiba |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Виробник : Toshiba | MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |