Продукція > TOSHIBA > SSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(T

SSM3J332R,LF(T TOSHIBA

3622419.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.86 грн
500+10.70 грн
1500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J332R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 6.78 грн до 40.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.12 грн
50+22.32 грн
100+13.86 грн
500+10.70 грн
1500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3J332R SMD P channel transistors
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.97 грн
170+7.08 грн
460+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
Код товару: 170575
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j332r_datasheet_en_20181015.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.