SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 12.53 грн |
| 60+ | 7.15 грн |
| 100+ | 6.40 грн |
| 500+ | 5.73 грн |
| 3000+ | 5.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 4.62 грн до 21.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J332R | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SSM3J332R | Toshiba |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T; SSM3J332R TSSM3j332r кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SSM3J332R |
|
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.75 грн |
| 23+ | 13.01 грн |
| 100+ | 8.11 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1000+ | 4.97 грн |
| SSM3J332R |
|
Виробник: Toshiba
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T; SSM3J332R TSSM3j332r
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T; SSM3J332R TSSM3j332r
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 4.62 грн |