Продукція > TOSHIBA > SSM3J334R,LF(T
SSM3J334R,LF(T

SSM3J334R,LF(T TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.41 грн
1000+4.21 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J334R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J334R,LF(T за ціною від 4.14 грн до 23.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j334r_datasheet_en_20181004.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1733+7.03 грн
1786+6.82 грн
1788+6.81 грн
2000+6.38 грн
6000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 1733
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.90 грн
57+14.66 грн
124+6.75 грн
500+5.41 грн
1000+4.21 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3J334R SMD P channel transistors
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.99 грн
130+8.44 грн
355+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j334r_datasheet_en_20181004.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.