| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 1733+ | 8.11 грн |
| 1786+ | 7.87 грн |
| 1788+ | 7.86 грн |
| 2000+ | 7.37 грн |
| 6000+ | 6.82 грн |
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Технічний опис SSM3J334R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm.
Інші пропозиції SSM3J334R,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SSM3J334R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM3J334R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm |
на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J334R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J334R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23F
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)