SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.74 грн |
| 6000+ | 4.99 грн |
| 9000+ | 4.72 грн |
| 15000+ | 4.14 грн |
| 21000+ | 3.97 грн |
| 30000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J334R,LF за ціною від 4.57 грн до 28.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J334R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V |
на замовлення 33800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J334R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF |
на замовлення 45304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Виробник : TOSHIBA |
SOT23/SOT323 |
на замовлення 2127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |