на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1339+ | 9.10 грн |
| 1565+ | 7.78 грн |
| 1652+ | 7.37 грн |
| 2000+ | 6.60 грн |
| 6000+ | 5.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J338R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J338R,LF(T за ціною від 5.35 грн до 29.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J338R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J338R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SSM3J338R,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |