Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J338R,LF
SSM3J338R,LF

SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J338R_datasheet_en_20210916.pdf?did=30384&prodName=SSM3J338R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.29 грн
6000+ 5.81 грн
9000+ 5.23 грн
30000+ 4.83 грн
75000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SSM3J338R,LF за ціною від 4.92 грн до 22.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba SSM3J338R_datasheet_en_20210916-1916499.pdf MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
на замовлення 559480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.62 грн
19+ 16.96 грн
100+ 7.04 грн
1000+ 5.85 грн
3000+ 5.58 грн
9000+ 4.98 грн
24000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R_datasheet_en_20210916.pdf?did=30384&prodName=SSM3J338R Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 370375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.99 грн
16+ 17.44 грн
100+ 10.46 грн
500+ 9.08 грн
1000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba ssm3j338r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J338R,LF
Код товару: 127792 		SSM3J338R_datasheet_en_20210916.pdf?did=30384&prodName=SSM3J338R Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba ssm3j338r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній