Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J338R,LF
SSM3J338R,LF

SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30384&prodName=SSM3J338R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.67 грн
6000+6.71 грн
9000+6.37 грн
15000+5.61 грн
21000+5.40 грн
30000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SSM3J338R,LF за ціною від 6.03 грн до 35.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba 83D6988778C3A3A14BCD9C74A196381CA62BB7D56D351ABF7513FE9F3472B7DA.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
на замовлення 254611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.13 грн
19+18.75 грн
100+11.59 грн
500+9.04 грн
1000+8.27 грн
3000+6.57 грн
6000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30384&prodName=SSM3J338R Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 80500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.94 грн
16+21.17 грн
100+13.44 грн
500+9.46 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF
Код товару: 127792
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=30384&prodName=SSM3J338R Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.