Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J340R,LF
SSM3J340R,LF

SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.07 грн
6000+5.28 грн
9000+4.99 грн
15000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J340R,LF за ціною від 4.13 грн до 35.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.72 грн
19+16.78 грн
100+10.52 грн
500+7.34 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba SSM3J340R_datasheet_en_20190517-1661068.pdf MOSFET Sm Low ON Resistance SOT-23F
на замовлення 20327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.79 грн
13+26.52 грн
100+13.11 грн
1000+6.59 грн
3000+5.71 грн
9000+4.54 грн
24000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.