Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J340R,LF
SSM3J340R,LF

SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.95 грн
6000+5.18 грн
9000+4.90 грн
15000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J340R,LF за ціною від 5.19 грн до 27.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.45 грн
100+10.32 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba 37BFC0E68BE328B182B72FA86551A18899C96022A332D253F0C65E87C855CA2F.pdf MOSFETs Sm Low ON Resistance SOT-23F
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF Toshiba ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF Toshiba ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.18 грн
19+16.45 грн
100+10.32 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF 37BFC0E68BE328B182B72FA86551A18899C96022A332D253F0C65E87C855CA2F.pdf
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Sm Low ON Resistance SOT-23F
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf
Виробник: Toshiba
Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf
Виробник: Toshiba
Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.