Продукція > TOSHIBA > SSM3J351R,LF(T
SSM3J351R,LF(T

SSM3J351R,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.129 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.69 грн
500+9.88 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J351R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.129 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J351R,LF(T за ціною від 8.91 грн до 45.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J351R,LF(T SSM3J351R,LF(T Виробник : Toshiba 952674814097289952672828511683ssm3j351r_datasheet_en_20171227.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T SSM3J351R,LF(T Виробник : Toshiba 952674814097289952672828511683ssm3j351r_datasheet_en_20171227.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 41974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
780+16.49 грн
785+16.39 грн
960+13.39 грн
1026+12.08 грн
2000+11.09 грн
3000+10.09 грн
6000+9.54 грн
12000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 780
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T SSM3J351R,LF(T Виробник : Toshiba 952674814097289952672828511683ssm3j351r_datasheet_en_20171227.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T SSM3J351R,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.78 грн
50+35.13 грн
100+28.09 грн
500+20.66 грн
1500+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.