Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J351R,LF
SSM3J351R,LF

SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.42 грн
6000+6.69 грн
9000+6.23 грн
15000+5.74 грн
21000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J351R,LF за ціною від 6.40 грн до 32.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 62948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
16+19.77 грн
100+13.36 грн
500+9.76 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Виробник : Toshiba SSM3J351R_datasheet_en_20220527-1112766.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
на замовлення 225486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.62 грн
16+21.32 грн
100+12.51 грн
500+9.71 грн
1000+8.83 грн
3000+7.65 грн
9000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Виробник : Toshiba ssm3j351r_datasheet_en_20220527.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Виробник : Toshiba ssm3j351r_datasheet_en_20220527.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Виробник : Toshiba ssm3j351r_datasheet_en_20220527.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.