Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J352F,LF
SSM3J352F,LF

SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J352F_datasheet_en_20161219.pdf?did=30804&prodName=SSM3J352F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: S-Mini, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J352F,LF за ціною від 6.46 грн до 27.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J352F,LF SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F_datasheet_en_20161219.pdf?did=30804&prodName=SSM3J352F Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
18+16.60 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF SSM3J352F,LF Toshiba SSM3J352F_datasheet_en_20161219-1289318.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
на замовлення 21973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF Toshiba SSM3J352F_datasheet_en_20161219.pdf?did=30804&prodName=SSM3J352F Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF SSM3J352F_datasheet_en_20161219.pdf?did=30804&prodName=SSM3J352F
SSM3J352F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
18+16.60 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF SSM3J352F_datasheet_en_20161219-1289318.pdf
SSM3J352F,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
на замовлення 21973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF SSM3J352F_datasheet_en_20161219.pdf?did=30804&prodName=SSM3J352F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.