SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.54 грн |
| 6000+ | 5.1 грн |
| 9000+ | 4.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: S-Mini, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J353F,LF за ціною від 4.76 грн до 33.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J353F,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: S-Mini Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V |
на замовлення 20288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J353F,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V |
на замовлення 11270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|