SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.48 грн |
| 19+ | 16.76 грн |
| 100+ | 10.54 грн |
| 500+ | 7.36 грн |
| 1000+ | 6.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: S-Mini, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J353F,LF за ціною від 3.94 грн до 28.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J353F,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V |
на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|