SSM3J355R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.31 грн |
| 51+ | 16.92 грн |
| 100+ | 11.79 грн |
| 500+ | 8.89 грн |
| 1000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J355R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SSM3J355R,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J355R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SSM3J355R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |