Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J355R,LF
SSM3J355R,LF

SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J355R_datasheet_en_20161130.pdf?did=55743&prodName=SSM3J355R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.66 грн
6000+5.81 грн
9000+5.50 грн
15000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J355R,LF за ціною від 4.49 грн до 31.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J355R,LF SSM3J355R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J355R_datasheet_en_20161130.pdf?did=55743&prodName=SSM3J355R Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
на замовлення 28735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
17+18.09 грн
100+11.44 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF SSM3J355R,LF Виробник : Toshiba SSM3J355R_datasheet_en_20240723-1128713.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
на замовлення 236396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
18+19.20 грн
100+10.74 грн
500+8.09 грн
1000+6.62 грн
3000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF Виробник : Toshiba SSM3J355R_datasheet_en_20161130.pdf?did=55743&prodName=SSM3J355R P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 10; Rds = 30,1 мОм @ 4 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 1 мА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23F-3
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
65+9.70 грн
69+9.06 грн
100+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF SSM3J355R,LF Виробник : Toshiba 5691docget.jspdid55743prodnamessm3j355r.jspdid55743prodnamessm3j355r..pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.