Продукція > TOSHIBA > SSM3J355R

SSM3J355R Toshiba

SSM3J355R_datasheet_en_20161130-1128713.pdf
Виробник: Toshiba
Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J355R Toshiba

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F; ESD, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 2W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 52.3mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції SSM3J355R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J355R,LF(T TOSHIBA SSM3J355R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 52.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(T SSM3J355R.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 52.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.