Продукція > TOSHIBA > SSM3J356R,LF(T
SSM3J356R,LF(T

SSM3J356R,LF(T Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J356R,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J356R,LF(T за ціною від 4.36 грн до 24.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J356R,LF(T SSM3J356R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622423.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.70 грн
1000+4.93 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(T SSM3J356R,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(T SSM3J356R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622423.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.06 грн
52+15.93 грн
100+10.76 грн
500+7.70 грн
1000+4.93 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(T SSM3J356R,LF(T Виробник : Toshiba 658985960366193658981434467455ssm3j356r_datasheet_en_20180404.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.