SSM3J356R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.54 грн |
| 500+ | 22.30 грн |
| 1500+ | 18.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J356R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J356R,LF(T за ціною від 18.31 грн до 76.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J356R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM3J356R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SSM3J356R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |