SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.84 грн |
| 6000+ | 5.5 грн |
| 9000+ | 4.87 грн |
| 30000+ | 4.51 грн |
| 75000+ | 3.83 грн |
| 150000+ | 3.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J356R,LF за ціною від 4.65 грн до 28.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 343852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V |
на замовлення 41634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|